Exame de Categoria B 
Exame de Radioelectricidade

1 -  Em modulação de amplitude, dupla faixa lateral, a largura de faixa necessária para uma emissão radiofonia (A3E) é de:

  1.  5 Khz.

  2.  6 Khz

  3. 10 Khz.

  4. 12 Khz.

2 - Pode-se definir-se semiconductor como sendo:

  1. Um material cuja resistividade eléctrica se situa entre a dos condutores e a dos isoladores.

  2. Dois materiais diferentes soldados um ao outro.

  3. Dois pedaços de cristal montados em conjunto e munidos de um eléctrodo em cada extremidade e um outro ao centro.

  4. Uma barra de silício cortado e moldada de modo a entrar e a ressonância numa certa frequência.

3 - Um circuito ressonante paralelo está sintonizado para 1000 KHZ, a indutância (L) para metade e aumentando a capacidade (C) para o dobro qual será a nova frequência de ressonância?

  1. É maior que 1000 KHZ.

  2. É menor que 1000 KHZ.

  3. É igual a 1000 KHZ.

  4. O circuito não tem frequência de ressonância.

4 - Se se aumentar a resistência de um circuito ressonante RLC:

  1. A gama de frequência de saída alarga-se. 

  2. A frequência de ressonância diminui.

  3. A gama de frequência de saída estreita-se.

  4. O sinal de saída sofre uma desfasagem.

5 - Um transistor NPN pode ser formado por:

  1. Uma lâmina delgadíssima de germânio do tipo P colocada entre duas lâminas relativamente espessas de germânio do tipo N.

  2. Uma lâmina delgadíssima de germânio do tipo N colocada entre duas lâminas relativamente espessas de germânio do tipo P.

  3. Um emissor, uma base mas sem colector.

  4. Um material emissor de electrões e de protões.

6 - Qual a velocidade das ondas radioeléctricas através do espaço?

  1. 200.000 Km/seg.
  2. 300 m/s.
  3. 400.000 Km/seg.
  4. 300.000 Km/seg.

7 - Um transístor PNP pode ser formado por:

  1. Um material emissor de electrões e de protões.

  2. Duas lâminas delgadíssimas de germânio do tipo N que envolvem uma lâmina espessa de germânio do tipo P.

  3. Uma lâmina delgadíssima de germânio do tipo N colocada entre duas lâminas espessas de germânio do tipo N.

  4. Um emissor, uma base mas sem colector.

8 - Na figura, identifique o terminal "colector":

             B       
A  
C       

  1. A

  2. B

  3. Não há colector.

  4. C

9 -  Na figura, indique a alternativa que corresponde a um circuito não reactivo:

 

  1. A

  2. C

  3. B

  4. D

10 - Quando o germânio contém uma pequena porção de arsénio:

  1. Origina material do tipo P.

  2. Origina material do tipo N.

  3. Tem uma maior indutância.

  4. Contém poucos electrões.

11 - Um transístor na configuração base-comum apresenta:

  1. Alta impedância de entrada.

  2. Ganho de corrente maior que 1.

  3. Baixa impedância de saída.

  4. Alto ganho de tensão.

12 -Um tétrodo possui:

  1. 6 elementos.

  2. 5 elementos.

  3. 4 elementos.

  4. 3 elementos.

13 - Um transístor, no qual circula entre colector e emissor uma corrente de 80 mA quando, entre base e emissor circula uma corrente de 400 apresenta um ganho de:

  1. 0.2

  2. 20

  3. 50

  4. 200

14 - A corrente que circula entre colector e o emissor de um transístor é de 8 mA, e a corrente que circula entre a base e o emissor do mesmo é de 400 uA. Qual é o ganho de corrente apresentado?

  1. 50

  2. 0,2

  3. 20

  4. 200

15 - No circuito, indicado na figura, como se faz a polarização base-emissor?

  1. Utiliza-se a resistência R2.

  2. Utiliza-se o divisor de tensão constituído por R e R1 e aproveita-se a queda de tensão em R1 para se obter a polarização base-emissor.

  3. Não há polarização base-emissor.

  4. Utiliza-se a queda de tensão em R.

16 - Considere o circuito da figura, no qual a corrente está a variar em relação à tensão. Para que o circuito entre em ressonância é necessário:

  1. Reduzir a capacidade C.

  2. Reduzir a indutância L.

  3. Aumentar a capacidade C.

  4. Aumentar a resistência R.

17 - Identifique o símbolo da figura:

 

  1. Díodo.

  2. Transístor NPN.

  3. Transístor PNP.

  4. Díodo zener.

18 - Num díodo de junção, chama-se "tensão de zener":

  1. À tensão de polarização directa máxima.

  2. À tensão de saturação.

  3. A qualquer valor de tensão alternada aplicada ao díodo.

  4. Ao valor de tensão inversa que produz um aumento significativo de corrente inversa

19 - A polarização dos transístores de base à massa é aplicada do seguinte modo:

  1. Base-emissor, inversa e base-colector, inversa.

  2. Base-emissor, directa e base-colector, directa.

  3. Base-emissor, directa e base-colector, inversa.

  4. Base-emissor, inversa e base-colector, directa.

20 - O símbolo da  figura representa um:

 

  1. Transístor de efeito de campo.

  2. Díodo varicap.

  3. Transístor bipolar.

  4. Díodo zener.

  Resolução do exame

 

 
Os artigos são da responsabilidade de quem os escreveu.
  Os restantes conteúdos de - © Radioamadores.net
 Página "Exame de Categoria B" actualizada em: 10-06-2008
|Home Page |